英飛凌(Infineon)與Panasonic宣布共同開發氮化鎵(GaN)產品。該產品以Panasonic常關型(Normally-off)矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎，整合至英飛凌的表面黏著裝置(SMD)封裝，進而打造出高效能氮化鎵裝置。
英飛凌電源管理及多元電子事業處總裁Andreas Urschitz表示，結合矽基板氮化鎵開關的強化模式與相關驅動程式及最佳化驅動機制，將可為客戶提供極高的價值，雙重供貨來源的概念也將協助客戶管理供應鏈。
事實上，Panasonic已提供英飛凌常關型氮化鎵電晶體結構的授權。此次合作除了使雙方皆可製造高效能氮化鎵裝置，客戶也將取得封裝相容的氮化鎵功率開關的雙重供貨來源，這是目前其他矽基板氮化鎵裝置皆無法提供的優勢。
Panasonic Semiconductor Solutions總裁Toru Nishida指出，我們運用在化合物半導體的經驗，開發出常關型氮化鎵功率技術，其具有簡單組態及易於控制動態的特性。
矽基板氮化鎵是次世代化合物半導體技術之一，因為可達高功率密度與小體積，像是用於電源供應與轉換器，同時也是提升能源效率的重要關鍵元件。一般而言，矽基板氮化鎵技術的功率裝置用途廣泛，可用在高電壓(伺服器場的電源供應器)，到低電壓應用(如直流對直流(DC-DC)轉換器)。
英飛凌網址：www.infineon.com
