甫於日前落幕的日本半導體設備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上，包括應用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設備大廠分別宣布，在半導體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)製造技術上取得新的突破，將可大幅提升半導體業者在先進製程世代的製造良率，並降低整體營運成本。
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| 製程的進步相對會造成蝕刻步驟的增加，進而加重成本負擔，因此，精準、智慧型且高生產力的蝕刻系統便益發重要。 |
應用材料副總裁暨蝕刻事業處總經理葉怡利表示，蝕刻是半導體業界發展最快的市場之一，因為要實現先進微晶片的極小電路，須仰賴愈來愈多關鍵的蝕刻步驟；因此，該公司推出新的智慧型蝕刻系統，除可讓每片晶圓均勻度達埃(Angstrom)等級，提高生產良率外，亦能在每小時處理高達一百八十片晶圓，從而減少30%的單片晶圓成本，是因應未來高度複雜的晶片製造不可或缺的關鍵設備。
據了解，應用材料所推出的Centris AdvantEdge Mesa蝕刻系統，主要是係因應22奈米及其以下先進製程的邏輯和記憶體晶片製造所開發，其包含六個蝕刻製程反應室和兩個電漿清洗製程反應室，在搭配該公司專利的智慧型系統軟體運作下，可確保每個反應室的每項製程都能精確對準，以達到比市場其他半導體蝕刻系統快兩倍的處理速度。
與此同時，應用材料也針對近來快速崛起的矽穿孔(TSV)技術，推出全新的加強型Silvia蝕刻系統，利用新電漿源將半導體蝕刻速率大幅提升40%以上，快速製作出高深寬比且剖面光滑垂直的導孔結構，讓Silvia系統的導孔蝕刻成本首度下降至每片晶圓低於10美元的價位，將有助晶片製造商加速導入矽穿孔技術，進一步推動三維晶片(3D IC)的發展。
另一方面，微影設備大廠艾司摩爾也宣布，兩家位於亞洲的晶片製造商已分別利用該公司TWINSCAN XT:870和TWINSCAN XT:400微影掃描機台，創下每天處理超過四千片晶圓的記錄，為12吋晶圓的微影作業生產力設下新的門檻。艾司摩爾執行副總裁暨行銷長Frits van Hout表示，為客戶創造更高生產力一直是艾司摩爾努力的目標，而這項新的里程碑即是該公司與客戶間緊密合作成效的最佳印證。
據了解，艾司摩爾目前已有超過兩百台的微影掃描機年產量可達百萬片晶圓的水準，其中包括iLine、KrF、ArF等型式的掃描機，以及超過二十五台浸潤式(Immersion)微影掃描機。隨著艾司摩爾與客戶端技術經驗的日益豐富，現今一台微影掃描機只消37週的時間，即可調整到年產量百萬台的水準，對微影製程成本結構的改善，不啻有莫大助益。
