諾發系統(Novellus)開發一系列的ashable硬式蝕刻光罩(AHM)薄膜，可達到比目前業界使用的非晶碳薄膜高出百分之二十五的蝕刻選擇性。這種高度選擇性和透明(HST)的AHM薄膜，搭配諾發的專利晶片洗邊技術(EBR)，已證明可改善70%以上的晶片良率。
不論是邏輯或記憶體元件，在32奈米以下的設計規則都需要較高的高寬比(AR)圖案。在這些先進的幾何形狀，電漿增強式化學氣相沉積(PECVD)的非晶碳薄膜，比傳統的光阻更具較高的蝕刻選擇性和優越的機械性能。此外，這種性質的薄膜，可更準確將光阻圖案轉移到基板上，不會有圖案倒塌或線彎曲的壞處。這些非晶碳薄膜還可用於雙重圖形化製程(Double Patterning)，不僅增加成本效益，亦可完成高密度圖案化製程。
傳統550C的非晶質薄膜和HST AHM薄膜的蝕刻選擇性比較，雖然提高沉積溫度可以用來增加選擇性，但會負面影響降低薄膜的透明度。比較不透明的薄膜在黃光對準的步驟上會較困難，諾發的AHM薄膜不會犧牲透明度，並且可維持大的高寬比所需的選擇性。
AHM在晶圓邊緣的厚度會影響到那個區域晶粒的量率，所以需要一個狹窄的過渡帶在完整膜厚到裸晶片之間，也就是完全的AHM去除。諾發的VECTOR PECVD平台具有一個整合的EBR模組，可提供完整1毫米的AHM薄膜去除區域。這種尖銳的邊緣過渡區，可確保在邊緣的晶粒有足夠的AHM厚度，可控制2毫米內的CD均勻性控制。EBR模組是和主機台整合在一起，不需要額外的洗邊用機台。而且由於AHM模組和主沈積反應室分開，相較於其他在同一反應室處理的技術可有較佳的製程與微粒控制。
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