支援高速讀寫，耐讀寫次數也遠高於NAND Flash的鐵電記憶體(FRAM)，已經被應用在許多嵌入式電子產品中。近期日廠富士通(Fujitsu)宣布，將推出第一款針對汽車應用設計，操作溫度範圍為攝氏-40～125度，且預計將在2017年7月通過AEC Q100驗證的FRAM晶片，則為這類記憶體打開了另一個新的應用市場。
目前汽車產業正在經歷其有史以來最大的轉型期，例如先進駕駛輔助系統(ADAS)、電動車的電池管理系統(BMS)與電子化的車身控制系統等，都將徹底改變汽車的設計架構。未來汽車將布滿各式各樣的感測器，同時電子化程度也會越來越高，這使得車載電子系統需要具備快速讀寫資料的能力，而其所使用的記憶體自然必須具備更高的讀寫效能，同時也要更加耐用。
NAND Flash雖然具備容量大，單位儲存成本較低的優勢，而且讀寫速度也不差，但其可讀寫次數卻相對有限，以至於在可靠度方面常受到質疑。而且，在車載應用中，資料幾乎是不間斷地讀寫，因此，對於耐讀寫次數這項特性，要求遠比一般消費性儲存應用來得高。這些需求使得具備高讀寫次數，且讀寫速度很快的FRAM，成為理想的車用記憶體選項。
看好這個機會，富士通半導體計畫推出一系列新的車用FRAM解決方案，其第一款產品具備256kbit容量，並支援SPI介面，操作電壓為1.8～3.6V，操作溫度則為攝氏-40～125度，可滿足汽車產業對電子零組件的典型規格需求，同時也可以應用在高溫環境下作業的工業設備上。值得一提的是，該晶片的寫入次數高達十兆次，幾乎可確定在整個產品生命周期內都不會因資料寫入而損壞。
目前這系列的第一款晶片MB85RS256TY已經可提供工程樣本，預計在2017年7月通過AEC Q100驗證。
