賽普拉斯(Cypress)宣布推出32Mbit與64Mbit高速非同步靜態隨機存取記憶體(SRAM)。新款SRAM提供高速的反應時間，與同級密度元件相比具有較小的底面積。新款元件鎖定包括儲存伺服器、交換器與路由器、測試設備、高階保全系統及軍事系統等應用。
CY7C1071DV33 32-Mbit (3伏特)與CY7C1081DV33 64-Mbit (3伏特)高速非同步SRAM，採用該公司高效能90奈米C9互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程技術，提供16位元與8位元輸入/輸出(I/O)組態、12奈秒的高速存取時間，且採符合RoHS規範的四十八支接腳BGA封裝，尺寸規格分別為8毫米×9.5毫米×1.2毫米以及8毫米×9.5毫米×1.4毫米，是同級密度元件中最小的封裝選項。
賽普拉斯非同步記憶體事業部董事總經理Sunil Thamaran表示，向市場推出超小底面積的32/64Mbit高速SRAM，展現賽普拉斯投入SRAM事業決心，也將持續運用深次微米(Deep Submicron)技術，與設計方面的創新，為市場帶來新一代的高效能SRAM。
CY7C1071DV33 32Mbit元件現已開始量產，CY7C1081DV33 64Mbit高速非同步SRAM已開始送樣，預計於2010年10月量產供貨。
賽普拉斯網址：www.cypress.com
