賽普拉斯(Cypress)發表新系列1Mbit序列非揮發性靜態隨機存取記憶體(nvSRAM)及內建即時時脈(RTC)功能的新款4Mbit與8Mbit nvSRAM。該公司nvSRAM採用其S8 0.13微米矽氧化氮氧化矽(SONOS)，嵌入式非揮發性記憶體製造技術，創造出更高密度並改善存取速度與效能。nvSRAM包括磁碟陣列(RAID)系統、工業控制與自動化如PLC、馬達控制、馬達驅動及機器人、單板電腦、銷售端點管理系統、電子儀表(eMetering)、車用、醫療及數據通訊系統。
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| 賽普拉斯nvSRAM運用0.13微米SONOS技術發揮效能與可靠性，提供電腦運算、工業、汽車及資料傳輸應用解決方案。 |
序列式nvSRAM系列產品內含1Mbit元件，推出多重組態設定，並配備一個業界標準SPI介面。序列式nvSRAM提供底面積極小的八接腳DFN與十六接腳SOIC封裝，運作頻率最高可達40MHz，其中一款序列nvSRAM還整合一個即時時脈元件。賽普拉斯平行式nvSRAM的存取時間僅有20奈秒(ns)，提供無限次數的讀、寫及召回(Recall)能力及長達二十年的資料保存期限。新款4Mbit與8Mbit nvSRAM整合一個即時時脈元件，為備份的重要資料提供時間戳記(Time-stamping)功能，並具備一個可編程警報功能以及監控計時器。
Cypress的nvSRAM符合歐盟禁用物質防制法的規範(ROHS-compliant)，能直接取代靜態隨機存取記憶體(SRAM)、電池供電的SRAM(BBSRAM)及電子式可抹除可編程唯讀記憶體(EEPROM)等元件，提供高速的非揮發資料儲存功能而毋須使用電池。當關閉電源時，系統會自動把SRAM的資料傳送到非揮發元件。在電源啟動時，資料會從非揮發性記憶體回存至SRAM。這兩項作業都可透過軟體來控制。nvSRAM不僅可節省電路板空間，還能降低設計複雜度。
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