IC設計公司與晶圓代工廠的合作將邁向類IDM模式。進入20奈米製程世代，將牽動半導體設備、電子設計自動化(EDA)工具、IC電路布局與封測作業全面革新，導致產業鏈須投資大量資源；因此，晶圓代工廠與晶片商為避免個別財務負擔過重，將更加緊密合作，並共同分攤研發設備與人力開支，加速推進20奈米以下製程問世。
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| 中國半導體行業協會IC設計分會理事長暨清華大學微電子學研究所長魏少軍提到，SoC邁向3D架構後，要發揮異質晶片堆疊效益，軟體應用層的重要性將更加突顯。 |
中國半導體行業協會IC設計分會理事長暨清華大學微電子學研究所長魏少軍表示，20奈米以下製程為半導體生態系統帶來根本性的改變，由單家晶圓代工廠或整合元件製造商(IDM)推動，都將面臨研發資金匱乏、技術瓶頸等問題；因此，現階段台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)與聯電等晶圓大廠，以及高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)等重量級晶片商，均意識到集結眾人之力才是發展20、16或14奈米製程的王道，開始擴大供應鏈垂直合作計畫。
魏少軍分析，市場一般認為每世代製程演進可大幅提升晶片效能並降低成本；然而，20奈米以下製程技術複雜，需要新的曝光設備及EDA工具，預料僅有少數幾家業者有足夠本錢投資，在產能有限的情況下，成本下降幅度將大不如前。以英特爾(Intel)為例，從45到32奈米可降低10.1%成本，但由32推進至22奈米卻僅縮減3.3%成本，推估進入16奈米降價空間將更加受限。
魏少軍也指出，多半IDM積極走向輕晶圓廠(Fablite)經營模式，緊縮半導體設備、廠房投資計畫，主要原因除市況低迷外，跨越28奈米後的先進製程研發費用龐大，且技術投資風險高得嚇人更是一大關鍵。預估未來少數晶圓代工廠與Fabless晶片商將成半導體資本支出主力，而晶圓廠也將慎選客戶，妥善利用產能並分散投資風險，創造新的類IDM合作模式。
格羅方德技術長辦公室先進技術架構主管Subramani Kengeri透露，目前格羅方德即以類IDM策略，推展旗下28奈米業務。透過與客戶一起投入早期晶片設計，將提供客製化服務並加速產品研發時程；未來在20奈米以下製程，該公司也將沿用此一發展策略，持續加強與IC設計公司合作，進一步提高生產效率與降低投資風險。
另一方面，隨著20奈米以下製程難度與投資劇增，業界亦已提出半導體產業將進入後摩爾定律(Post-Moore’s Law)時代的看法，認為晶片製程演進將趨緩，轉向2.5D/3D IC的系統單晶片(SoC)技術支線發展。魏少軍認為，先進製程卡關將加速平面互補式金屬氧化物半導體製程走向盡頭，推助鰭式電晶體(FinFET)與異質晶片堆疊技術崛起，包括晶圓代工、晶片商與封測廠均已全力展開部署。
