美光(Micron)將於2014年第一季開始提供客戶3D NAND快閃記憶體樣品。繼三星(Samsung)、東芝(Toshiba)陸續宣布量產3D NAND快閃記憶體後，美光日前於投資人說明會議中亦指出，該公司平面NAND快閃記憶體製程已進階至16奈米(nm)階段，並將於2014年開始逐步轉移製程至3D NAND節點。
美光研發副總裁Scott DeBoer表示，該公司十分關注3D NAND快閃記憶體技術進展，目前美光3D NAND快閃記憶體可達256Gb密度，且預計於2014年第一季發布樣品。
DeBoer進一步指出，由平面NAND製程轉移至3D NAND製程，業界將面臨龐大的資本支出壓力，不過，美光與英特爾(Intel)在20奈米製程節點即合作採用高介電質(High K)技術，改變NAND儲存格架構並提高其效能表現，所以今年美光可以極低的資本支出(CapEx)由20奈米製程轉移至16奈米製程節點，並推出市場最具成本效益的多層單元(MLC)128Gb方案。
據了解，美光將於16奈米製程節點推出256Gb垂直(Vertical)NAND，提供較平面16奈米製程方案顯著增加的每位元成本(cost/bit)效益及效能表現。美光將衡量將平面製程晶圓挪做3D製程的成本決定製程的轉移時間點，因此，2014年該公司大部分產能仍將集中於平面NAND快閃記憶體產線，而在發表3D NAND方案以後再逐步將產能轉移至該製程。
美光執行長(CEO)Mark Durcan強調，美光不認為2014年的記憶體市場即對3D NAND方案有強大需求，反之市場熱度將呈現細火慢熬，目前業界僅開始建置小規模的無塵室，提供平面製程以外的3D NAND快閃記憶體產能。
值得一提的是，雖然今年第二季NAND晶圓產量首度超越動態隨機存取記憶體(DRAM)，不過不可忽略的趨勢是，NAND產業目前無論產能及每年位元成長率(Bit Growth Rate)皆出現成長趨緩現象–2012年NAND位元成長率為56%，業界預估2013年及2014年的位元成長率也將僅有40%及43%的表現，不復以往2011年以84%幅度大幅成長的位元成長率光景。
儘管如此，2013～2017年全球NAND快閃記憶體位元成長率的年複合成長率仍達43%，箇中原因為各式終端市場持續推升NAND位元需求，其中，行動裝置及固態硬碟(SSD)將是驅動整體市場成長的前兩大應用產品。
