鈺創科技發表全新第三代通用序列匯流排(USB 3.0)加速器(Flash Drive Accelerator, FDA)系列，其中EV2669 USB 3.0快閃記憶碟控制晶片搭配MLC(Multi-Level Cell)同步式快閃記憶體(NAND Flash)時，締造全球最快存取速率的世界級佳績，其讀取/寫入傳輸速率可達每秒260/235Mega Bytes以上。
EV2669單晶片採獨特的二通道快閃記憶體介面，具備先進72位元糾錯能力(ECC)可支援多家快閃記憶體大廠於2奈米及1奈米先進製程的MLC/TLC NAND Flashes；在硬體規格上，EV2669可支援16CE或8CE兩個版本，封裝可採八十八接腳或六十四接腳QFN封裝。
鈺創USB3.0加速器產品系列皆透過該公司自有快閃記憶碟加速器技術(FDA Technology)開發完成，無須外掛驅動程式，即可達到全球最快存取速率的特性。
此外，該產品系列支援存取容量最高可達128GB，滿足快閃記憶體儲存客戶的高容量需求；且毋須透過多顆IC作整合，可將整個系統整合到系統單晶片(SoC)內，大幅縮短系統廠商導入設計時間，快速在市場上推出超高速USB 3.0快閃記憶碟，目前該產品已獲國際客戶採用。
鈺創網址：www.etron.com.tw
