鈺創科技將於國際消費性電子大展(CES)發表四埠(4-Port)USB3.0主端控制晶片(Host Controller)–EJ198、四埠USB3.0主端控制晶片–EJ188以及二通道(2-Channel)USB3.0快閃記憶碟控制晶片(Flash Drive Controller)–eV268。以上皆由該公司研發之USB3.0軟硬體技術所開發
，能提供客戶主端與裝置端(Device)晶片的完整解決方案，已獲系統廠商導入設計。
其中，EJ198為PCIe Gen 2至USB3.0之主端控制晶片，符合PCIe Gen 2及USB3.0規範，並支援英特爾的xHCI(eXtensible Host Controller Interface)1.0介面標準，可確保系統擁有最佳相容性與較低功耗，展現最優異的性能。由於EJ198擁有兩個PCIe Gen2通道(PCIe Gen 2x2Lanes)，可支援每通道5Git/s之傳輸速率，在全雙工傳輸模式運行下，能提供最高10Git/s的整體傳輸頻寬。
其次，EJ188亦為PCIe Gen 2至USB3.0主端控制晶片，與前款產品的相異點在於其只支援一個PCIe Gen2通道(PCIe Gen 2x1Lane)，雖然如此，也能有5Git/s的傳輸速率。兩款皆有四個USB3.0連接埠，可向下相容USB2.0/1.1模式。並採用八十八接腳QFN封裝，外部尺寸10×10mm2。
值得注意的是，eV268使用獨特腔二通道快閃記憶體介面，配合交錯技術與32位元簡化指令集電腦(RISC)微控制器核心，而60位元之糾錯能力(ECC)可支援多家快閃記憶體大廠於3X柰米(nm)、2Xnm及1Xnm製程的穩定單層式儲存(SLC)/寬溫多層式儲存(MLC)/傳輸線鉗位(TLC)儲存型快閃記憶體(NAND Flash)。其中支援至8CE的eV268H能兼具速度及成本效益，而支援16CE的eV268K則搭配同步式MLC快閃記憶體，能達每秒230Mega Bytes以上讀取傳輸速率。
此外，該公司USB3.0快閃記憶碟(USB Flash Drive)控制單晶片，已在2011年底通過USB應用者論壇(USB-IF)的超高速USB3.0認證。
鈺創網址：www.etron.com.tw
