碳化矽(SiC)將大舉搶進1,200伏特(V)高壓應用市場。繼羅姆半導體(Rohm Semiconductor)在2012年3月發表全SiC功率模組，英飛凌(Infineon)亦將於第三季推出新一代SiC蕭特基二極體(Schottky Diode)，藉優異的材料特性挺進1,200伏特應用領域，優化設備節能效益，有助奠基SiC功率元件在高壓設備中的地位。
 |
| 英飛凌應用工程經理林錦宏提到，英飛凌雖主攻SiC設計，但也持續跟進GaN技術發展，往後亦有投入開發的打算。 |
英飛凌工業與多元電子事業處應用工程經理林錦宏表示，節能風潮興起造成ATX電源、伺服器、太陽能逆變器(Inverter)和電信級網通設備，對高壓功率元件的耐壓/耐溫能力、導通效率、切換時間及體積更趨苛求；材料特性較矽更加優異的SiC、氮化鎵(GaN)等寬能隙(Wide Band Gap, WBG)材料也順勢崛起，尤其在1,200伏特以上的超高壓應用，更是適合其發展的絕佳舞台，吸引眾多功率半導體商投入研發。
目前在SiC產品領域進展較快的為科銳(Cree)、羅姆與英飛凌，其中，羅姆已發表可支援1,200伏特輸入電壓的全SiC功率模組，結合SiC金屬氧化物半導體(MOSFET)及蕭特基二極體，並將於6月導入量產。緊接著，英飛凌也將旗下的ThinQ系列SiC蕭特基二極體，從650伏特耐壓推升至1,200伏特，並計畫在今年第三季上市；甚至在第四季引進薄型封裝技術–ThinPAK，進一步縮減元件體積。
據了解，英飛凌的SiC蕭特基二極體已邁進第五代，除650伏特產品規格外，未來將針對1,200伏特耐電壓能力、導通/切換效率及設計成本全面優化，同時也壓縮晶圓厚度至110微米，並強化瞬間突波電流(Surge Current)負載能力；如此一來，即可全方位滿足高壓設備需求，促使節能效益更上層樓。
林錦宏強調，所有電源供應器、IT設備開發商皆期望藉寬能隙材料，進一步提高電源轉換效率。由於SiC與GaN可耐高壓、高溫與大電流，促進基板薄型化，進而減輕導通電阻及切換阻抗，對提升電源轉換效率大有幫助，故已在業界颳起一陣旋風，醞釀取代傳統矽製功率元件。
惟當前SiC材料供應來源單一，致使每安培價格仍高達0.2～0.25美元，超出傳統矽材料數倍，而降低業者替換意願，預期還要1～2年時間發展規模經濟，才能擴大市場普及率。
至於GaN的技術開發與市場進展，林錦宏認為，儘管GaN的功率特性略勝SiC一籌，但礙於材料量產良率偏低，讓有意開發產品的廠商綁手綁腳；目前看來，發展速度反而較SiC落後，預期要到2014～2015年市場才能蓬勃。也因此，英飛凌現階段即押寶SiC，較有機會在短時間內突破矽材料的物理特性限制，讓設備電力營運成本獲得顯著控制。
