Transphorm宣布飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD配接器採用了該公司的氮化鎵技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管(FET)平台，具有以下優點：系統設計簡單，元件數量少，性能更高。
飛宏的65W配接器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個USB-C埠和一個USB-A埠(2C1A)，可同時為三台設備充電。這款充電器採用了單一650V SuperGaN元件TP65H300G4LSG，與採用準諧振反馳模式(QRF)拓撲結構的矽解決方案相比，功率損失可減少約17%。該配接器還提供高達65W的USB PD和PPS功能。
TP65H300G4LSG是一款240毫歐、通過JEDEC認證的PQFN88表面黏著元件，具有±18V閘極安全裕度。FET是建立在QRF、主動鉗位反馳模式(ACF)或LLC諧振拓撲結構上的150W或以下低功率應用的理想選擇。
Transphorm的TP65H300G4LSG具有與矽類似的閾值水準和高閘極擊穿電壓(最大±18 V)。它可以與現成的控制器(包括含有整合驅動器的控制器)配合使用，無需負偏置電壓。這些功能可簡化電源系統的設計；消除對額外週邊電路的需求，從而減少元件數量；同時還能增加整個系統的可靠性，都是飛宏決定採用Transphorm FET的關鍵原因。
飛宏生產製造各種備受電子設備公司信賴的可靠電源解決方案。公司對氮化鎵功率密度優勢的理解讓其決定打造新的氮化鎵配接器。Transphorm的氮化鎵FET具有簡單可設計性和可驅動性，並且具有高閘極穩健性，因此飛宏很快決定選擇Transphorm作為其氮化鎵器件合作夥伴。
