馬自達與ROHM開始聯合開發採用次世代半導體技術—氮化鎵(GaN)功率半導體的車載元件。馬自達與ROHM自2022年起，在「電驅動單元的開發與生產合作體系」中，一直在推進搭載碳化矽(SiC)功率半導體的逆變器聯合開發。此次雙方再著手開發採用GaN功率半導體的車載相關元件，為次世代電動車打造出創新型的車載元件產品。
GaN作為次世代功率半導體材料而備受矚目，與傳統的矽(Si)基功率半導體相比，不僅能夠抑制功率轉換過程中的損耗，還可高頻驅動，有助實現產品小型化。
雙方將充分利用上述特點，將其轉化為車輛總成、車身輕量化及車體設計方面的創新型解決方案。雙方計畫在2025年度之內將這一理念落實，並透過Demo車進行測試，預計在2027年度投入實際應用。
馬自達專務執行董事兼CTO廣瀨一郎表示，在邁向碳中和的過程中，電動化進程加速，ROHM憑藉卓越的半導體技術和先進的系統解決方案構建能力，致力創造出永續移動未來社會。我們非常高興能夠與ROHM在電動車元件的開發與生產方面進行合作，雙方將攜手並進，致力共創半導體元件與汽車雙向連結的全新價值鏈。馬自達將透過與志同道合的企業夥伴合作，提供客戶在電動車領域也能暢享駕乘魅力、充滿駕馭樂趣的產品。
ROHM專務執行董事東克己表示，非常高興能與馬自達合作，共同針對電動車領域開發車載元件。支援高頻工作的ROHM EcoGaN結合了能夠充分發揮其性能的控制IC的解決方案，是實現節能和小型化的關鍵。為擴大該解決方案在實際面的應用，ROHM非常重視與相關企業的合作。在GaN的開發與量產方面，已與眾多企業夥伴建立了多樣化的合作關係。此次透過與馬自達進行聯合開發，我們將能夠從應用和終端產品開發的角度，深入瞭解對GaN產品的需求，為推動GaN功率半導體的普及，及創造永續移動未來社會做出貢獻。
