高效/省電/散熱佳 德州儀器NexFET強力出擊

作者: 姜壽彭
2010 年 06 月 10 日

德州儀器(TI)推出NexFET Power Block電源供應解決方案,將兩個金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)晶片放在單一封裝中,能在25安培電流下實現超過90%的電源效率,體積為競爭對手的一半,並在成本縮減下增加2%的效能。適用於伺服器、個人電腦、基地台、交換器、路由器及高電流多重非標準負載點(POL)轉換器等裝置上。
 




TI電源產品亞太市場開發部協理羅偉表示,尺寸縮小、效能提升及散熱佳是NexFET的優勢。



TI電源產品亞太市場開發部協理羅偉表示,該公司新產品最大的特點,就是將兩個MOSFET晶片重新設計,以堆疊的方式採用小型無引線(SON)封裝,尺寸僅為兩個四方扁平無引線(QFN)封裝的一半,所以在封裝以及測試的成本上皆能有效降低。而在25安培的電流負載下,可達到超過90%的電源效率,也比業界同規格產品效率高出2%,功率損耗降低20%。也因為較高的轉換效率,使得元件的散熱溫度有效獲得控制,另外還有最佳化接腳布局(Pinout)及快速切換頻率等優點。
 



由於目前MOSFET市場呈現供不應求的缺貨狀態,對於這一點,羅偉指出,TI在MOSFET的市場進入時間還不長,市占還不高,所以在供貨上還沒出現上述的狀況。因此目前該公司的交期約12~13週,較同業約需7個月的時間短,為其競爭優勢所在。羅偉透露,現階段雖交由聯電代工,但因為MOSFET市場產值非常大,約有20~30億美元之譜,所以擴產為該公司既定的策略,未來預計採取代工跟自行生產雙管齊下的方式進行。

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