高通/R&S攜手展出LTE數據機晶片效能

2015 年 06 月 11 日

高通(Qualcomm)與羅德史瓦茲(Rohde & Schwarz)攜手展出一系列新晶片組與處理器,其中包括上行載波聚合商用數據機晶片、Cat. 9商用裝置、與具備Cat. 6下行傳輸速度,並配備X8長程演進計畫(LTE)數據機晶片的Snapdragon 425處理器。


透過與高通的密切合作,R&S率先以進階長程演進計畫(LTE-A)三個下行元件載波聚合的連線,在北京Redefining Connectivity活動與台灣COMPUTEX展覽期間,成功展示下一代Qualcomm Snapdragon LTE數據機晶片組的效能;搭配展出的R&S測試配置包含兩台R&S CMW500寬頻無線通訊測試儀與R&S CMWC Multi-CMW控制器。


展出項目包括Snapdragon X12 LTE數據機晶片的上行載波聚合,以UL/DL configuration 1呈現兩倍的LTE分時多工(TDD)上傳速度,R&S CMW500在此展示中被用以作為eNode B模擬器,增強型上行傳輸量將可更快速分享高品質照片與影音視頻,並加速雲端空間檔案上傳的速度。


另外亦展示配備X10 LTE數據機晶片的Snapdragon 810處理器於Cat. 9 LTE-A三個下行元件載波聚合的連線,其LTE TDD下載速度峰值可達320Mbit/s;R&S CMW500於此展示中提供真實網路連線。


而配備X8 LTE數據機晶片的Snapdragon 425處理器於Cat. 6 LTE-A兩個元件載波聚合的連線,可達300Mbit/s,相當於兩倍的LTE下載速度,將為大容量行動裝置帶來更高品質的傳輸效能。


R&S網址:www.rohde-schwarz.com.tw

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