提升雷達探測距離 氮化鎵PA脈衝下降有解(2)

作者: Michael Gurr
2025 年 02 月 17 日
氮化鎵(GaN)功率放大器提升相位陣列雷達效能,但其脈衝下降影響探測距離。本文探討其影響與緩解措施,並分析先進固態元件如何優化雷達性能,提升解析度與感測能力。 脈衝下降管理 (承前文)在現場管理脈衝條件是控制脈衝下降性能的其中一種可行方法。在晶片之外,放大器閘極和漏極供應電路上的旁路電容選擇會影響上升時間和下降時間的性能。即使是放大器的相對位置、方向以及解耦電容材料的選擇都會影響脈衝保真度。設計在射頻頻率下運作的電路,表示阻抗不僅取決於元件電容,寄生電容和電感也會產生影響,而且隨著頻率增加,這種影響通常會增強。...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

提升雷達探測距離 氮化鎵PA脈衝下降有解(1)

2025 年 02 月 17 日

ADI發表兩款寬頻6GHz模組

2017 年 04 月 11 日

採用直接驅動設計 GaN FET開關控制效率增

2019 年 12 月 12 日

兼顧波形/膝電壓/電晶體導通 射頻放大器力保偏壓電路效率

2021 年 12 月 16 日

ABI Research:5G基礎建設帶動新材料與技術發展

2022 年 04 月 11 日

強化GaN HEMT絕緣性 氮化鎵RF性能更優異

2022 年 05 月 02 日
前一篇
AMD/法國CEA攜手推進AI運算技術合作
下一篇
IAR成為Zephyr Project銀級會員