應用材料(Applied Materials)日前推出Applied Centura Tetra Z光罩蝕刻系統，為新一代光微影術光罩蝕刻技術，能讓多重曝影尺寸縮小至10奈米(nm)以下。新機台係將應用材料的Tetra平台功能進行強化，以並提供所需的線寬(CD)參數「埃(Angstrom)」等級光罩精密度，滿足未來邏輯與記憶體裝置嚴苛的圖案製程規格。
應用材料光罩蝕刻產品處總經理Rao Yalamanchili表示，使用193奈米波長來製作10奈米或7奈米的圖案，需要各種最佳化技術，包括浸潤與多重曝影，皆高度仰賴光罩的運用。該公司的Tetra Z系統擁有先進的光罩蝕刻技術，運用精密材料工程及電漿反應動力學的精進科技，能擴充193奈米微影術的應用。
Yalamanchili進一步指出，蝕刻技術是製造光罩的關鍵，Tetra Z系統的與眾不同之處，在於能為新一代光學光罩的蝕刻，提供所需的精確度，製作先進節點設計的圖案。
應用材料針對進階的鉻、矽化鉬(MoSI)、硬質光阻層和石英(熔矽石)蝕刻應用，開發了Tetra Z工具，以製造先進的二元式與相位移光罩(Phase-shift Masks)。該系統在技術上的創新，能讓浸潤式微影術延伸應用於四重曝影與先進的解析度強化技術。
據了解，Tetra Z系統能針對所有特徵尺寸進行均勻線性精密蝕刻，並達到近乎零缺陷的圖案密度，因而可確保圖形轉移保真度。另外，優異的CD效能結合高蝕刻選擇比，使得Tetra Z系統得以運用更薄的光阻，在重要的裝置層上製作更小的光罩CD圖案；而可控制的CD偏差功能，則擴展了系統的彈性，能滿足客戶的特定需求。
而獨一無二的石英蝕刻深度控制技術，可確保精密的相位角度，也能讓客戶使用交替式光圈相位移光罩與無鉻相位微影術，推動積體電路的尺寸縮放製程。種種的關鍵技術進展，來自於各種系統改良，包括反應室的設計、電漿穩定性、離子與自由基控制、流量與壓力控制，以及即時製程監控。
