聯電28奈米須至今年下半年才會貢獻營收。全球一線晶圓代工廠正積極爭搶28奈米高介電質金屬閘極(HKMG)製程商機，除台積電已率先量產外，GLOBALFUNDRIES、三星近期也開始加碼擴充產能。相較之下，聯電仍處於製程研發及良率提升階段，進度明顯落後，須待今年第三季才可望量產，影響上半年整體毛利率表現。
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| 聯華電子執行長顏博文提到，聯電28奈米製程自去年底開始已陸續獲得通訊晶片大廠投片，今年將朝提升量產良率與降低成本目標邁進。 |
聯華電子執行長顏博文表示，今年上半年仍看不到28奈米製程帶來營收貢獻，因此該時期會是聯電經營較辛苦的階段，預估第一季產能利用率將較上季下滑5%，毛利率趨近前季數字；而晶圓代工本業營收則將力守損益兩平。進入第二季後，客戶庫存水位逐漸回歸正常水準，晶圓出貨需求才可望逐步走揚。
聯電7日舉辦2012年第四季法說會，該季營運狀況受客戶調整庫存、新台幣升值2.2%，以及本身加碼研發28、20奈米以下技術和預先布建產能等因素影響，整體晶圓產能利用率為80%，出貨量約當一百零六萬九千片八吋晶圓，營收則季減8.5%；毛利率更從上季的24%大幅滑落至16.8%的全年低點。至於全年整體營收新台幣1,060億元，僅年增0.1%；平均毛利率也由22.7%降至21.2%。
顏博文表示，聯電2012年第四季營運狀況大致仍符合預期，40奈米先進製程營收比重已增加到15%，順利達成內部目標，該製程也將逐漸成為獲利主力。然而，下一階段28奈米HKMG製程研發進度則較預期落後，儘管聯電去年已撥出近六成資本支出(CAPEX)，致力優化28奈米製程良率，但最快還是要到今年第三季才能正式量產，並將於第四季達到個位數總營收占比。
相較於聯電的發展，格羅方德、三星28奈米量產進展則迭有突破，前者已取得上百件投片訂單，並積極擴充產能；後者近來也擴大投資數十億美元，助力其設於美國德州的晶圓廠轉攻28奈米，並計畫用於生產旗下新一代八核心處理器。事實上，兩家新崛起晶圓代工業者均在發展32奈米節點時，就開始導入可滿足高效能、低漏電設計的HKMG技術。
據市調機構IC Insights最新調查指出，2012年全球晶圓代工廠營收排名大幅洗牌，原先坐穩老二寶座的聯電，因先進製程布局落後，已相繼被格羅方德、三星超前。為搶回流失市占，顏博文強調，2013年將是聯電邁向成功至關重要的一年，該公司將不斷投入適當資本支出，推動28/20奈米HKMG、16/14奈米鰭式電晶體(FinFET)等高階製程研發及產能建置；同時也將強化與封測廠合作，加速矽穿孔(TSV)三維晶片(3D IC)量產時程。
除擴大先進製程技術布局外，顏博文更透露，聯電今年初順利取得和艦科技經營權，將有助拓展中國大陸市場及整體集團營運規模，加速公司未來幾年營收成長並強化市場競爭力。
