3D IC/DDR3帶動半導體CAPEX反彈

2009 年 12 月 15 日

在技術轉換需求的激勵下,2010年全球半導體資本設備支出預期將勁揚45.3%,並自2010年底起一路大幅成長至2011年。
 



Gartner研究副總Dean Freeman指出,晶圓代工業者的支出與少數記憶體廠商的選擇性支出,帶動了2009下半年半導體設備市場的成長。而2010年的成長主要會由上半年技術升級所帶動。
 



其中,全球晶圓廠設備(WFE)產業受到台積電將在明年引進首批193奈米浸潤式步進機(Immersion Stepper),以及記憶體廠商將動態隨機存取記憶體(DRAM)製程技術推進至4x奈米的雙重影響,2010年的支出年增率可望達到56.6%。
 



封裝設備(PAE)則在晶圓級封裝、3D製程及矽晶穿孔(TSV)等高階製程技術需求殷切的挹注下,2010年的支出預估將增加52.8%。
 



至於自動測試設備(ATE)則受惠於第三代雙倍資料率(DDR3)記憶體主流規格的轉變,2010年將有59.7%的成長。


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