3D NAND前景可期 長江儲存實力不容小看

作者: 吳心予
2021 年 05 月 18 日

以數據為中心的人工智慧(AI)、AIoT、智慧工廠、VR/AR及自駕應用的需求增加,將長期帶動NAND的需求。根據調研單位Yole在2020年3D NAND製造設備與材料報告中指出,雖然NAND的市場具有季節和週期性變動,但是市場規模將可望從2019年的440億美元成長到2025年810億美元,期間的年複合成長率(CAGR)可達到11%。

3D NAND製造設備市場預估(以製程畫分) 資料來源:Yole

如同Yole在2021年Q1的NAND市場監測報告中提到的,即便週期性的市場波動仍存在,長期而言可樂觀看待NAND市場發展。雖然NAND供需失衡的狀況可能引發短期的NAND市場波動,但是不斷增加的數據及其相關應用,加上產業內持續用基於NAND的SSD取代HDD硬碟,可預期NAND的市場規模將創新高。

Yole NAND/記憶體研究副總裁Walt Coon表示,控制器與NAND周邊元件的短缺會造成供應鏈不穩定,為ASP業者帶來巨大壓力。近期三星在美國德克薩斯州為SSD產品生產NAND控制器的工廠停產,近一步加劇控制器短缺的問題,並有可能促使NAND價格復甦,尤其是受到控制器短缺影響最大的PC SSD及行動裝置市場。

綜觀產業內的廠商競合,NAND市場競爭激烈。三星透過南韓平澤占地廣大的工廠,以及擴充中國西安廠的設備,擴大量產能力優勢;鎧俠與其夥伴威騰電子則不斷在日本拓展業務;SK海力士正在收購英特爾的NAND/SSD業務。而美光即使處在浮閘(Floating)與換閘(Replacement Gate)架構的技術轉換之際,仍在3D技術中具有領先實力。中國的長江儲存則是新加入戰局的廠商,可能為目前的市場競爭帶來新的變化。

在System Plus Consulting分析師針對長江儲存所做的3D NAND Flash報告中指出,長江儲存開發了新的3D-NAND Xtacking架構,在架構中有兩個晶片用於64層的3D NAND記憶體,而不像傳統架構在3D NAND記憶體中採用單晶片。其生產的記憶體中,CMOS電晶體與NAND陣列分開製造,為NAND Flash市場帶來可滿足I/O速度加快與高階CMOS電晶體的解決方案,因此提供傳輸速度更快且晶圓密度更高的記憶體。

System Plus Consulting分析師Belinda Dube說明,在此技術中,CMOS週邊設備與NAND的晶圓陣列分開製造。晶圓間透過銅及混合銅的金屬連接,這樣的連接技術需要高精準度與精細地對準,才能完美地連接兩個晶圓的金屬盤。而這樣的技術使得長江儲存所生產的記憶體,能夠提高晶片密度。

2019~2025年NAND廠商資本支出變化 資料來源:Yole

 

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