具高功率特性的氮化鎵(GaN)，將可滿足5G對功率放大器(Power Amplifier, PA)的高頻需求，有充分潛力超越砷化鎵(GaAs)。氮化鎵在高功率應用的實現上，比砷化鎵更具實力，因而能充分滿足5G的高頻需求，除了將逐步在手機的5G功率放大器中出現，基地台功率放大器應用也是另一項發展主力。
絡達科技技術長林珩之表示，5G基地台的功率放大器，將會是以砷化鎵與氮化鎵製程為主，因其是功率主導(Power Handle)，並以表現度為主要衡量，但這樣的製程需更多的校準(Calibration)程序，成本會比較高。
不過，相較於智慧型手機，對價格敏感度很高，基地台針對的並非一般用戶，因此對價格的敏感度是比較低的，這也就讓產業能容許投入比較多的成本在基地台應用上。
林珩之認為，功率主導的特性，更將促使氮化鎵比砷化鎵來得更有優勢，因頻率更高，往往得靠氮化鎵才有辦法做到。到了5G時代，氮化鎵將很有機會取代橫向擴散金屬氧化物半導體(Lateral Diffused MOS, LDMOS)。
而在手機功率放大器的部分，目前2G是以互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程為主，3G、4G則是砷化鎵製程，5G因為高頻的關係，氮化鎵製程技術備受看好。
林珩之指出，未來5G時代的手機會包含兩種頻段，一是小於6GHz頻段，另一則是毫米波(mmWave)頻段，前者會以砷化鎵/氮化鎵技術為主，後者則是採用CMOS技術。
林珩之進一步分析，小於6GHz頻段的半導體技術，將會是以砷化鎵與氮化鎵製程為主，因天線與電磁波的波長是成正比的，且高頻的天線比較大，也就須採用高功率的技術來達成，因此在小於6GHz頻段，很有機會變成砷化鎵與氮化鎵製程的天下。
據了解，相較於CMOS製程，氮化鎵製程有辦法支撐很高的功率，這是前者沒有辦法做到的。除非5G技術有辦法運用小功率，在空中進行融合，CMOS製程才會有機會涵蓋到這部分的市場。
至於在5G毫米波頻段，則會是以CMOS製程為主。林珩之解釋，因毫米波頻段，採用的天線比較小，就會是以CMOS製程為主，該製程與化合物半導體很不相同，價格會比砷化鎵/氮化鎵製程來得低，CMOS製程也比較多方適用，目前在開關(Switch)上使用得相當廣泛，但氮化鎵製程的開關就比較難做，因其是屬於雙極性接面型電晶體(Bipolar Junction Transistor, BJT)。
此外，像物聯網這類以價格為主要驅動的應用，由於對功率的要求是比較低的，也會是CMOS製程所能發揮的地方。
