為實現更高儲存密度，NAND Flash的堆疊層數不斷增加，單一晶胞內能儲存的資訊也越來越多。目前NAND Flash晶片已經進入64層TLC時代，展望2019年，三星(Samsung)、東芝(Toshiba)等業者都將進一步推出96層QLC顆粒。為了因應即將量產的新一代NAND Flash規格特性，控制器業者群聯已備妥對應的解決方案。
群聯電子發言人于紹庭表示，3D NAND Flash技術不斷推進，目前64層TLC已經是相當穩定的產品。而為了進一步提升儲存密度，NAND Flash供應商正在努力往96層QLC發展，屆時單一顆粒的儲存容量將可達1TB。其實，目前已經有業者發表採用QLC架構的64層3D NAND Flash，但技術驗證的意味濃厚，預計要等到2019年推出的96層3D NAND Flash，才會開始大量採用QLC。
為了因應此一技術發展趨勢，群聯在Computex期間正式發表其第一款支援3D QLC的控制晶片。由於QLC架構雖可實現更高的儲存密度，但資料儲存的可靠度跟讀寫速度卻會受到影響，因此該控制器搭載了群聯自行研發的第四代SmartECC技術，在PCIe Gen3x4的頻寬下，讀寫效能均可達3,200MB/s，IOPS則均為600K。
群聯進一步解釋，當資料被寫入到NAND Flash內部時，其支援SmartECC的控制器同時會產生一組校正碼，與資料一起存入。資料從NAND讀回時若發生錯誤，控制晶片會透過校正碼更正資料，若該錯誤無法透過ECC校正碼成功更正，這筆資料就會進入SmartECC的補救流程，藉由特別設計的演算法修正資料，提高資料可靠性。
不過，有業界人士認為，由於QLC的可靠度比TLC更差，因此即便96層QLC顆粒在2019年進入量產，要應用在固態硬碟(SSD)上，可能還需要一段時間。採用96層QLC顆粒的第一批終端應用產品應該不會是固態硬碟，而是USB隨身碟這類對可靠度要求較低的應用。而這也意味著USB隨身碟容量大舉進入1TB的時間點，可能會出現在2019年。
