美光(Micron)宣布，其基於第六代10奈米等級1γ(1-gamma)製程節點的DDR5記憶體已經進入樣品階段，超微(AMD)及英特爾(Intel)等伺服器與PC平台業者，都已開始評估美光最新一代的DDR5產品。1γ製程節點不僅延續了該公司在1α與1β技術上的領先成就，更是DRAM產業的一大里程碑。基於1γ製程的16Gb DDR5記憶體，資料傳輸速率可高達9200MT/秒，比前一代產品的資料傳輸速率，與前代相比提升約15%，其功耗則比前一代減少超過20%。效能與能源效率的提升，不僅能滿足資料中心及邊緣裝置對高速運算的需求，也為AI工作負載提供了強有力的支援。
美光副總裁暨運算與網路事業部 運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，1γ製程是DRAM產業一個重要的里程碑。基於美光1γ製程的新一代DDR5記憶體，不僅傳輸速率與前代相比提升約15%，同時功耗也降低了20%。對於迫切需要提高效能、降低功耗的AI應用而言，採用基於1γ製程的DDR5記憶體，可以帶來極大的效益。同時，從供應鏈的角度，使用EUV微影技術的1γ DDR5記憶體，具有更高的位元密度。1γ節點能夠使每片晶圓的位元產出增加超過30%。這意味著在面對全球記憶體需求急速增長的同時，美光能夠大幅擴大供應能力，為市場提供充裕的記憶體資源。
美光在經過多代驗證的DRAM技術和製造策略的基礎上，造就出此一最佳化1γ節點的誕生。1γ DRAM節點的創新得益於CMOS技術的進步，包括下一代高介電質金屬閘極技術的進展，可提高電晶體效能以獲得更佳速度能力、設計最佳化和特徵尺寸的微縮，帶來節能和效能擴展的優勢。此外，透過結合EUV微影技術、高縱橫比蝕刻技術與設計創新，1γ為業界提供更優異的位元密度。同時，透過開發1γ節點及全球製造據點的生產布局，美光可為業界提供更卓越的技術和強大的供應韌性。美光位於日本及台灣的晶圓廠，都將生產採用1γ製程的DDR5記憶體。
超微伺服器平台解決方案工程部門企業副總裁Amit Goel表示，超微樂見美光在1γ DRAM節點方面的進展，並已開始對美光1γ DDR5記憶體進行驗證。超微致力於推動運算生態系統發展，不管是在伺服器端或PC端。所以與美光保持密切合作非常重要。
英特爾記憶體與IO技術副總裁暨總經理Dimitrios Ziakas則指出，美光1γ DRAM節點的進展為，英特爾伺服器和AI PC帶來了穩固的功耗和能量密度改善，我們很高興能看到美光在DRAM技術上的持續創新，同時也期待其技術為伺服器系統帶來效能與PC電池壽命提升。 Intel正為美光1γ DDR5記憶體樣本進行嚴格的伺服器驗證流程，期待為客戶提供具最高品質和一流體驗的伺服器系統。
