下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座 - 市場話題 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:SiC | 機器視覺 | GaN | 5G | 自駕車

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

文‧王智弘/林苑卿 發布日期:2011/05/30 關鍵字:FairchildCreeSiCSilicon CarbideTranSiCPowerMOSFETTransistor電晶體SemiSouthPower IntegrationsPI碳化矽寬能隙Wide Band GapJFETIRGaNSuper Junction二極體 GaN-on-SiliconGaN-on-Si

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。

產業基礎穩固 GaN功率元件起步早 

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
熱門文章