被動式溫度補償技術助攻 矽振盪器頻率漂移疑慮盡消

作者: Baljit Chandhoke
2012 年 05 月 17 日
CMOS振盪器頻率漂移問題有解。CMOS振盪器開發商已發展出被動式溫度補償技術,能透過加入耗損電容值來消除因線圈所造成的頻率漂移,讓CMOS振盪器在-20~70℃間的各種運作狀況下,達成全面的頻率穩定性。
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