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投資熱錢不斷湧入 GaN市場2013年起飛

文‧Philippe Roussel 發布日期:2012/07/30 關鍵字:GaN國際整流器宜普SiC太陽能逆變器Transphorm GaN SystemsEpiGaN包爾英特英飛凌矽基GaN

GaN功率半導體市場產值將快速擴增。由於GaN具有極佳材料特性,在功率半導體應用市場前景可期,因而引發投資熱潮,除新創公司不斷冒出頭外,國際半導體大廠也紛紛投入研發。目前,GaN元件已陸續商用,預估2013年量產規模將可進一步擴大,帶動市場迅速起飛。

Yole Developpement資深經理Philippe Roussel
雖然氮化鎵(GaN)功率半導體(Power Device)還在商業化初期階段,但其長期發展潛力卻已顯露無遺,在近3年多來吸引至少8,800萬美元的投資(圖1),足見GaN元件未來將大有可為。目前GaN元件主要發展業者--國際整流器(IR)及宜普(EPC),已紛紛宣稱其產品效能受得市場青睞,預計2012∼2013年將成GaN市場起飛年。

挑戰SiC市場地位 GaN功率元件聲勢大漲

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