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高壓MOS缺貨 晶片商搶推高整合LED驅動器

文‧林苑卿 發布日期:2012/12/03 關鍵字:NXP金屬氧化物半導體場效電晶體MOSFET恩智浦ST意法半導體PI包爾英特

半導體業者競相開發高整合度發光二極體(LED)照明驅動IC方案。在高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產能吃緊之下,LED照明系統商正面臨出貨遞延的窘境,因此晶片商正加緊發表整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案,讓LED照明系統客戶免於高壓MOSFET缺貨之苦。

恩智浦區域市場總監王永斌表示,調光與非調光LED驅動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET,因此恩智浦將透過高整合LED驅動IC方案確保客戶掌握貨源無虞。
恩智浦(NXP)區域市場總監王永斌表示,2013年LED照明市場將會更加蓬勃發展,然目前LED照明系統開發商卻因為高壓MOSFET嚴重缺貨,而陷入擁有眾多訂單卻無法出貨的困境,難以在市場上大施拳腳。

為避免因高壓MOSFET供貨不足影響市場擴展進度,包括恩智浦、意法半導體(ST)、包爾英特(PI)等晶片製造商,已紛紛推出整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案,以確保客戶LED照明產品出貨無虞,同時藉機壯大在LED照明驅動IC的市場版圖。

恩智浦大中華區照明產品市場經理張偉超指出,為生產整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC,須具備高壓製程,不過,囿於高壓製程技術門檻過高,並非所有的晶片商皆有能力發展,因此預期在此波缺貨風潮下,恐將出現LED照明驅動IC供應商勢力消長的態勢。

為大舉插旗高整合度LED驅動IC方案市場,王永斌強調,恩智浦已將原先SOI-HV高壓製程轉換為更適用於LED照明應用的ABCD3製程,預計2013年啟動量產,該製程不僅更適合整合高壓MOSFET,並可減少漏電流,同時省卻LED照明應用不必要的功能,能量產出更高性價比的LED驅動IC產品。

除強化高壓製程技術外,由於現階段僅有意法半導體、東芝(Toshiba)及英飛凌(Infineon)等少數高壓MOSFET製造商供貨,因此為確保高整合方案能順利開發,恩智浦也已做好萬全的備料準備。

張偉超透露,恩智浦預估2012年下半年LED照明市場規模將急速擴張,因此已提早向高壓MOSFET業者採購產品,現今能保證客戶在六至八周內即可取得高整合度LED照明驅動IC方案,未來更將縮短至三至四周即可取貨。此外,恩智浦亦有計畫投資高壓MOSFET廠商,以掌握更穩定的供貨來源。

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