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因應10奈米/3D IC製程需求 半導體材料/封裝技術掀革命

文‧黃耀瑋 發布日期:2013/04/15 關鍵字:應用材料英特爾台積電三五族元素10奈米3D ICFlip Chip覆晶封裝TSV

半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構,半導體廠正全力投入研發矽的替代材料,讓電晶體在愈趨緊密的前提下加強電洞和電子遷移率;同時也持續擴大高階覆晶封裝技術和產能布局,以加速3D IC商用。

半導體製程材料換血10奈米改用鍺/III-V 

晶圓磊晶層(Epitaxy Layer)普遍採用的矽材料,在邁入10奈米技術節點後,將面臨物理極限,使製程微縮效益降低,因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中,鍺和三五族元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率,提升晶片效能與省電效益,已被視為產業明日之星。  

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