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iST集團研發成果再添佳績

發布日期:2013/05/21 關鍵字:IPFAiST3DIC

iST宣布台灣宜特總部與子公司上海宜碩,從全球個中好手脫穎而出,高達三篇研究成果,獲選進入2013年積體電路失效分析論壇(IPFA)發表研究成果。

IPFA為IEEE於1985年成立,至今已發展為世界舉足輕重的可靠性與失效分析會議組織。今年,第20屆IPFA國際會議,將於7月15~-19日大陸蘇州舉行,宜特將在此會議中,以IC質量為主軸,分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS脈衝波過電保護」三方面。

在3DIC方面,iST研究出兩種克服的方式,其一是利用研磨技術將3DIC微凸塊(u-bump)失效區域定位,並搭配聚焦離子束顯微鏡(FIB),將其失效微凸塊切削進行斷面觀察;其二是擴大可觀察的微凸塊範圍,從100微米(um)提升至3000微米,此兩項技術亦可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)結構觀察。

而在IC電磁輻射消除的研究上,iST藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配,將任意電容值的電容放置於IC晶片上,並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法,客戶不需重新投片,即可找到電磁輻射源頭並加以消除,提供IC設計者一種CP值極高的IC EMI解決方案。

在「EOS脈衝波過電保護」上,iST藉由脈衝波模擬不同製程的IC上電,從其產生的過度電性應力(EOS)機制進行研究,在這當中,發現EOS耐受能力與脈衝時間存在「線性關係」,同時也發現IC製程本身閘氧崩潰與電壓有關。從此測試,亦可提供客戶簡易方式,來對元件進行抗受力測試,亦可對於元件過電保護,提供一個有效參考指標。

iST集團網址:www.istgroup.com

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