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IR氮化鎵元件開始商用出貨

發布日期:2013/05/22 關鍵字:IRGaN磊晶

國際整流器(International Rectifier)宣布為一家消費性電子產品公司的家庭劇院系統,成功測試並量產供應採用其氮化鎵(GaN)功率技術平台製造的元件。

IR總裁暨執行長Oleg Khaykin表示,採用IR旗下的GaN技術平台及IP產品組合之元件進入商用出貨階段,再次成功驗證IR在功率半導體元件市場的地位,以及預示功率轉換新時代的來臨,這正好與公司旨在協助客戶節省能源的重要願景相輔相成。IR熱切期望,GaN技術對功率轉換市場的影響力能夠至少媲美IR在30年前所推出的功率HEXFET。

有關成就標誌著IR在功率管理市場的策略性優勢,藉以帶來高資本效率的元件製造模式。相比先進的矽技術,GaN技術平台能夠為客戶改進主要特定應用的性能指數(FOM)多達十倍。這次IR邁向新的里程碑,彰顯出該公司一直致力為客戶提供頂尖的功率管理技術。

這款開創先河的GaN功率元件技術平台,是IR經過10年的時間,基於其專有矽上GaN磊晶技術進行開發及研究的成果。該高生產量的150毫米(mm)矽上GaN磊晶和相關的元件製造程序,能夠全面與IR具備成本效益的矽製造設施配合,為客戶提供世界級的商業可行性GaN功率元件製造平台。

國際整流器網址:www.irf.com

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