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ST發布高效能功率元件

發布日期:2013/05/31 關鍵字:ST太陽能逆變器功率元件

意法半導體(ST)推出能夠降低電信系統、運算系統、太陽能逆變器、工業自動化以及汽車電子等應用對環境影響的新一代高效能功率元件。

意法半導體全新STripFET VII DeepGATE金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)擁有目前市場銷售的80伏特(V)和100伏特功率電晶體中最高的導電效率,同時提高開關效率。此外,新產品有助於簡化設計,使用數量更少且封裝更小的元件,可減少系統功耗和提高能效目標,從而降低了設備尺寸和成本。

強化的MOSFET閘極結構是意法半導體STripFET VII DeepGATE技術的重要突破,在降低元件通態電阻的同時還降低內部電容和閘極電荷,進一步提高開關速度和效率。新產品的抗雪崩能力優異,使產品在可能損壞元件的惡劣條件中仍可正常工作,因此STripFET VII DeepGATE是汽車電子應用的理想選擇。

現可訂購的STripFET VII DeepGATE樣品或產品超過十五種,包括STP270N8F7 80V元件和一系列100伏特元件,客戶可選擇TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和兩針腳或六針腳H2PAK封裝。

意法半導體網址:www.st.com

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