大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

作者: 宣融 / 廖宸梓 / 胡智威
2013 年 06 月 06 日
大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓,讓該技術可望邁入6吋以上晶圓世代。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

平台商全力布「雲」 智慧手機戰「端」再啟

2011 年 07 月 01 日

Thunderbolt/USB 3.0飆速 Ultrabook擴充基座商機湧現

2013 年 11 月 02 日

二次強化技術突破 OGS觸控滿足筆電變形設計

2013 年 11 月 09 日

藉助度量目標設計工具 先進記憶體重疊精準度躍升

2016 年 01 月 10 日

寬能隙半導體普及在望 電源轉換損耗再創新低

2020 年 07 月 02 日

AEB力保汽車/行人安全 法案應加快趕上技術進展(1)

2024 年 04 月 03 日
前一篇
Computex:Haswell繪圖/功耗表現大躍進
下一篇
Computex:高通/英特爾晶片搶先支援Win 8.1