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大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

文‧廖宸梓/胡智威/宣融 發布日期:2013/06/06

大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓,讓該技術可望邁入6吋以上晶圓世代。

以矽半導體成長氮化鎵磊晶薄膜不僅有低成本、大面積與高導電(熱)基板等等的優勢,更可進一步與高度成熟的矽半導體產業結合成光電積體電路(IC),配合晶粒製程技術包括蝕刻、黃光、金屬電極鍍膜、研磨及切割,在不同元件領域以橫向分工、垂直整合的不同策略進行開發,以加強國內在關鍵光電元組件自主研發、產銷之能力。  

由於目前氮化物材料系統並沒有低價商品化的GaN或氮化鋁(AlN)單晶塊材做為基板,所以氮化物材料必須成長在藍寶石、碳化矽、矽等異質基板材料上。  

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