大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

作者: 宣融 / 廖宸梓 / 胡智威
2013 年 06 月 06 日
大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓,讓該技術可望邁入6吋以上晶圓世代。
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