大尺寸磊晶技術突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

作者: 宣融 / 廖宸梓 / 胡智威
2013 年 06 月 06 日
大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板發展露曙光。工研院利用氮化鋁(AIN)緩衝層薄膜材料,以及氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵超晶格(Superlattices)低缺陷密度緩衝層技術,已成功製作出高品質且表面無破裂的矽基氮化鎵磊晶圓,讓該技術可望邁入6吋以上晶圓世代。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

美觀且人性化需求殷切 電荷轉移元件實現完美介面

2006 年 10 月 27 日

善用線上設計工具 縮短電源電路設計流程

2006 年 11 月 24 日

擴大輸出電壓範圍 提升三相工業用電源供應效能

2006 年 12 月 29 日

滿足低功耗/雜訊與空間要求 高整合收發器打造微型超音波

2014 年 07 月 07 日

內建低雜訊感測器介面晶片 電動車精準顯示電池電量

2014 年 07 月 10 日

支援多種聯網技術 智慧資料集中器推進電網改革

2014 年 11 月 10 日
前一篇
Computex:Haswell繪圖/功耗表現大躍進
下一篇
Computex:高通/英特爾晶片搶先支援Win 8.1