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領先群雄 美光年底投產16奈米NAND Flash

文‧林苑卿 發布日期:2013/07/18 關鍵字:MicronSSDNAND Flash消費性電子行動裝置資料中心Data CenterMLCHigh-K Metal Gate平板裝置手機

美光(Micron)加入新一輪儲存型快閃(NAND Flash)記憶體製程賽局。繼SanDisk發布19奈米固態硬碟(SSD)後,美光亦於日前宣布將於2013年底前率先業界採用16奈米製程投產NAND Flash,並於2014年量產SSD,與SanDisk在消費性電子、行動裝置及資料中心(Data Center)市場互別苗頭。  

美光NAND解決方案部副總裁Glen Hawk表示,客戶不斷提出在更小的尺寸中配備更高記憶體容量的要求,因此該公司將借重16奈米製程技術迎合市場應用需求,並鞏固其市場領導地位。  

據了解,美光利用16奈米先進製程,可開發出全球最小尺寸且容量高達128GB的多層單元(MLC)NAND Flash記憶體,能在MLC NAND Flash記憶體的每平方毫米中,提供最大的記憶體位元數,故具備最低成本的優勢,主要瞄準消費性SSD、行動儲存設備(USB儲存裝置與快閃記憶卡)、平板裝置、手機及數據中心雲端儲存等應用領域。  

Hawk指出,該公司在2011年透過20奈米製程量產NAND Flash記憶體後,即逐步更改NAND Flash架構,如高介電質金屬閘極(High-K Metal Gate)技術,藉此加快推進至更先進的NAND Flash奈米製程;事實上,美光已比原先訂定的時間更快實現16奈米製程。  

面對巨大的降價壓力,NAND Flash記憶體大廠紛紛加緊投入更先進奈米製程布局,特別是積極開發垂直整合方案。也因此,近年來,美光亦重新調整市場定位,直接向終端消費者銷售其生產的SSD。不過,Hawk強調,該公司仍不會放棄對技術的聚焦,以及持續強化本身製造和技術實力的營運策略。

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