富士通推出150V GaN功率元件 - 產業動態 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:電源模組 | SiC | 機器視覺 | GaN | 5G

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

富士通推出150V GaN功率元件

發布日期:2013/07/29 關鍵字:FujitsuGaN功率元件

富士通(Fujitsu)推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片--MB51T008A,耐電壓能達到150伏特(V)。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off),與同級耐電壓的矽功率元件相比,MB51T008A的優值因數(FOM)可减低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率器件,客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件,並廣泛運用於家電、資通訊科技(ICT)設備和汽車電子等領域。

MB51T008A具備許多優點,包括擁有13mΩ的導通電阻,而總閘極電荷為16nC。若使用相同的耐電壓,MB51T008A的優值因數(FOM)大約是矽功率元件的一半;MB51T008A採用WLCSP封裝,能達到最低的寄生電感並支援高頻率運作;MB51T008A專有的閘極設計,可預設關閉狀態,以執行常關型運作。MB51T008A對使用直流對直流(DC-DC)轉換器中的高側開關和低側開關的資料通訊設備、工業產品和汽車電子而言,是理想選擇。

此外,由於MB51T008A支援電源電路中更高的切換頻率,因此能縮小電源產品尺寸並提高效率。富士通半導體計畫於2013年7月開始為客戶提供樣品,並於2014年開始量產。

富士通網址:cn.fujitsu.com

研討會專區
主題式電子報
熱門文章