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CMOS製程發功 Wi-Fi射頻前端整合度再躍升

文‧蘇宇庭 發布日期:2013/08/29 關鍵字:CMOSRF front-endPA功率放大器LNASP3T

RFaxis近日宣布開始量產業界首款無線區域網路(Wi-Fi)與藍牙(Bluetooth)組合式射頻前端(RF Front-end)晶片--RFX8422S;該元件利用互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程,將Wi-Fi與藍牙整合於單一裸晶(Single Die),藉此提升產品性價比。此外,RFaxis也開始提供RFX8422S的替換元件RFX8422樣品,該元件封裝厚度較RFX8422S減少0.4毫米(mm),可滿足對輕薄設計更要求的產品應用。  

RFaxis總裁暨執行長Mike Neshat表示,藉由採用業內最符合成本效益的標準CMOS製程,該公司因而能以前所未有的價格,提供全新的Wi-Fi/Bluetooth雙模射頻前端解決方案,並展現其持續為無線通訊市場推出令人耳目一新之CMOS 射頻前端晶片的雄心。  

由於行動裝置納入的通訊技術愈多愈多,如Wi-Fi、藍牙、FM無線電、GPS或NFC,因此許多射頻前端晶片設計廠商均致力於提升晶片整合度,而RFaxis推出的RFX8422S和RFX8422,即高度整合高效率線性功率放大器(PA)、低雜訊放大器(LNA)和單刀三擲(Single-pole Triple-throw, SP3T)天線開關於單一裸晶,採用四方扁平無引腳(QFN)封裝後,尺寸僅2.5平方毫米,極為精巧,可為智慧型手機或其他行動裝置實現Wi-Fi/藍牙雙模操作。  

Mike Neshat表示,由於成本考量,其他廠商的Wi-Fi/藍牙雙模射頻前端方案,多半僅含有低雜訊放大器和單刀三擲天線開關,而缺少欲擴展無線裝置操作範圍時最重要的元素--功率放大器;而RFaxis不僅可提供高整合的「三合一」Wi-Fi/藍牙射頻前端晶片,且價格還低於其他競爭對手現存的二合一解決方案,功能也更為完備。

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