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專訪快捷半導體首席技術長Dan Kinzer SiC功率元件擴張應用版圖

文‧林苑卿 發布日期:2014/01/06 關鍵字:FairchildInverter IGBTGaNWide Bandgap

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail Traction)等大功率轉換應用版圖。

快捷半導體資深技術副總裁兼首席技術長Dan Kinzer表示,SiC BJT未來將在大功率轉換應用的電源管理扮演舉足輕重的角色,成為眾多功率元件供應商群起攻之的市場。
據了解,快捷半導體係藉由收購TranSiC掌握SiC BJT技術能量,並已發布首批產品,將積極在產品線推陳出新,以擴大在大功率轉換應用的市占。  

Kinzer指出,不同於矽功率元件,SiC功率元件需要完全不同的製程;此外,SiC功率元件的晶圓更小(目前為4吋),且缺陷密度比矽功率元件高出許多。目前該公司已克服上述技術難題,並開發出高良率的製程,可減少SiC基板中缺陷的影響。  

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