導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開關

作者: Eric Persson
2014 年 01 月 09 日
為提高高壓電源系統能源效率,半導體業者無不積極研發經濟型高性能功率場效應電晶體(FET);其中,採用Cascode結構的氮化鎵(GaN)FET,由於導通和開關損耗極低,且具備比矽FET出色的反向恢復(Qrr)特性,因而能顯著改善電源系統開關效率。
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