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矽穿孔技術襄助 3D IC提高成本效益

文‧Brandon Wang 發布日期:2014/09/01 關鍵字:CadenceMEMSSiPMCM2.5D堆疊

應用直通矽晶穿孔(TSV)技術的三維積體電路(3D IC)為半導體業界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優勢。然而,若要讓3D IC成為主流,還必須執行許多基礎的工作。電子設計自動化(EDA)業者提供周延的解決方案支援3D IC革命,包括類比與數位設計實現、封裝與印刷電路板(PCB)設計工具。半導體廠可以運用這個解決方案,滿足高效率設計應用TSV技術的3D IC的所有需求。

應用TSV技術的3D IC預料將對網路架構、繪圖、行動通訊與運算等領域造成廣泛的衝擊,尤其是對需要超輕、小巧、低功耗裝置的應用影響更鉅。具體的應用領域包括多核心中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、封包緩衝器(Packet Buffer)/路由器、智慧手機、平板電腦、迷你電腦(Netbook)、相機、DVD播放機和電視機上盒。  

儘管大家興趣盎然,但這項技術仍在萌芽階段。缺乏標準定義,供應鏈生態系仍然捉摸不定,還有設計、驗證和測試挑戰仍須解決。本文說明3D IC技術的概要,並討論設計挑戰、生態系統要求及所需解決方案。儘管多年來市面上一直有許多多重晶粒封裝流通著,本文聚焦於運用TSV技術堆疊晶粒的晶片設計實現(Silicon Realization),尤其是堆疊不同類型晶粒的應用,如邏輯、記憶體、類比、數位或RF。  

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