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英飛凌新款車用功率MOSFET採12吋薄晶圓技術

發布日期:2015/05/28 關鍵字:Infineon金屬氧化物半導體場效電晶體Villach

英飛凌(Infineon)同時推出首款針對減碳排放應用進行最佳化的產品系列-- OptiMOS 5 40V。該產品將由英飛凌位於奧地利菲拉赫(Villach)的晶圓廠製造,並採用以12吋薄晶圓技術製造車用功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。。

英飛凌汽車電子事業處總裁Jochen Hanebeck表示,以12吋薄晶圓技術製造汽車功率MOSFET,確保英飛凌能以具競爭力的價格,量產高效能的汽車功率 MOSFET,同時12吋生產線具有安全供應鏈和長遠的生產藍圖,使汽車客戶能從中受惠。

英飛凌12吋薄晶圓技術提升新一代汽車功率MOSFET的產品效能,薄晶圓技術能將功率耗損降到最低,更能達成MOSFET的微型設計,提升高系統效率和功率密度,12吋薄晶圓的厚度僅60微米(µm),讓採用該技術的OptiMOS 5功率半導體成為業界最薄的產品。

與前一代OptiMOS相較,OptiMOS 5 40V產品減少40%的導通電阻,同時更降低功率損耗。此外,新產品的優值係數RDS(on)xQg減少35%,能最佳化切換特性。因此,OptiMOS 5 40V產品具有高功率密度和能源效率,支援多種汽車直流無刷馬達(BLDC)和H型橋式驅動應用,如電動窗、車門控制、天窗、燃油幫浦,以及閥門控制和快速切換DC-DC轉換器。

英飛凌網址:www.infineon.com

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