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突破寄生效應桎梏 7奈米FinFET製程技術不卡關

文‧Marie Garcia Bardon 發布日期:2015/07/02 關鍵字:LEDCOBPWMTRIAC

智慧裝置不斷推陳出新,驅動半導體製程加速演進,然而鰭式電晶體(FinFET)從10奈米微縮至7奈米時,漏電問題將更為嚴重,成為一大技術關卡;比利時微電子研究中心(IMEC)已透過改善寄生效應的方式克服此一挑戰。

每一代半導體製程新技術降臨,都代表設計和技術之間的相互依賴關係變得越發重要。明顯的例子即是10奈米以下鰭式電晶體(FinFET)的微縮,本文將說明FinFET微縮的選擇與限制。  

智慧裝置驅動晶片製程加速演進 

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