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FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求

文‧李依頻 發布日期:2015/09/16 關鍵字:Cobalt物聯網Applied Materials鰭式電晶體

鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求,因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發相關的蝕刻機台和磊晶技術。

應用材料公司集團副總裁兼台灣區總裁余定陸指出,隨著先進製程發展,該公司產品開發有兩大重點方向,一是電晶體與導線技術,另一個是圖形製作與檢測技術。
應用材料公司集團副總裁兼台灣區總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發展至16/14奈米,未來將因製程變化而帶給設備商20至30%的成長空間;另外,3D NAND是記憶體產業數十年來最大的技術演進,隨著3D NAND堆疊層數不斷增加,亦將進一步推升半導體設備需求規模。

有鑑於此,應用材料針對3D NAND部分,已於今年7月推出新款蝕刻系統--Centris Sym3,據了解,該系統能改善均勻度的挑戰。所謂均勻度,指的是晶圓中央相較於晶圓邊緣的均勻和一致性,而此系統能夠提升效能和良率,目前出貨已超過300台。

另外,余定陸指出,在電晶體技術方面,FinFET未來可能利用新材料,譬如矽鍺(Silicon Germanium),或是新架構比方像Gate all Around,這些新的材料與架構將有利該公司的磊晶技術發展。

同時當發展至20奈米以下的製程時,在導線方面將會遇到可靠度的挑戰,為因應此挑戰,該公司利用新元素--鈷(Cobalt),來推出化學氣相沉積鈷金屬(CVD Cobalt)系統,藉以改善可靠度的問題。

值得一提的是,面對中國近年半導體設備商崛起,是否對半導體設備業造成影響?余定陸認為,要發展半導體設備,必須花費至少十億美金,以及尋找適當的人才/團隊投入,同時需要較長的投資期限,因此較不容易影響原有的設備商。

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