錫球封裝面臨微縮瓶頸 銅柱搭配錫銀封蓋前景看好 - 技術頻道 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:SiC | 機器視覺 | GaN | 5G | 自駕車

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

錫球封裝面臨微縮瓶頸 銅柱搭配錫銀封蓋前景看好

文‧Wataru Tachikawa 發布日期:2016/06/04 關鍵字:摩爾定律陶氏化學Dow Chemical矽穿孔MEMS微機電PoP扇出AmkorBumping3D ICTSVCoWoSInFo封裝封測OSATSiPTSMCFan-outWLP晶圓級封裝系統級封裝YolePackage

先進的封裝技術為了製造出間距更小的接點,紛紛改採銅柱或其他微型柱來進行封裝。然而,受限於製程技術限制,目前業界還是需要在銅柱上方覆蓋錫銀封蓋,來實現理想的封裝。

錫球封裝面臨微縮瓶頸 銅柱搭配錫銀封蓋前景看好 錫球是目前在封裝上最常用到的焊接材料,但錫球會在焊接的過程中塌陷,產生焊錫延展(Solder Spreading)現象。若焊料過度延展,會造成接點之間的橋接或短路,故原本用於覆晶封裝的傳統控制塌陷高度晶片連接(C4)技術發展到一定程度後,將無法繼續縮小其最小間距。  

為了繼續縮小接點間的間距,業界正快速地改採不會塌陷的銅 柱作為細間距凸塊。銅柱採用大量迴焊及熱壓接合製程,能夠將接點間的距離縮得更小,且毋須需擔心發生橋接或短路。目前銅柱在陣列內的典型間距為50μm。  

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
熱門文章