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濕式蝕刻技術助力 TSV顯露製程成本再下降

文‧Laura Mauer/John Taddei/Amy Palesko Lujan 發布日期:2016/07/16

目前越來越多先進封裝設計採用矽穿孔(TSV)技術,並將其視為一個設計的關鍵部分。TSV實現以往不可能達成的嶄新與創新設計,並在外觀尺寸、改善效能等方面具有明顯的優勢。而要擴大此珍貴技術及激勵產業的採用,須進一步改善及優化TSV顯露製程,並降低每個步驟的成本。

降低TSV製程成本 濕式蝕刻展妙用  

TSV中段製程可實現絕佳的整合。圖1展示將晶片黏著在載板上,並透過首次研磨將晶片變薄後的顯露製程順序。以下討論則著重在於TSV顯露的矽層蝕刻步驟,而此步驟為下方透過黃色方塊來顯示。  

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