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意法推出新款超接面MOSFET

發布日期:2016/10/03 關鍵字:TO-220FP wide creepageSoluM功率電晶體

意法推出一系列採用TO-220 FullPAK(TO-220FP)wide creepage封裝的功率電晶體,其中包括採用防電弧封裝的首款1500V超接面MOSFET。

電視和PC等常用的電器採開放式電源,容易聚集塵土和粉塵,導致功率電晶體引腳之間產生高壓電弧放電現象,TO-220FP wide creepage封裝,是這類應用功率電晶體的理想選擇。

在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時,需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊製程,這款新封裝將引腳間距擴大至4.25mm,讓電源廠商能夠滿足現行安全標準,將客戶端的電源故障率降至最低,生產時無需使用額外的防電弧加工製程,從而簡化了製造過程,提高了生產效率。

在提供優異的防電弧功能的同時,TO-220FP wide creepage亦保留深受市場好評且出色的電子特性。此外,相似的外觀尺寸還可以簡化組裝問題,確保符合現有組裝流程。

TO-220FP wide creepage封裝,是意法半導體與其韓國知名電源廠商SoluM的合作開發成果。SoluM正在使用這款優異封裝,進行開發穩健性和成本效益高於競品的電源解決方案。新系列產品包括四款完全符合認證的600V低導通電阻RDS(ON)MDmesh M2系列MOSFET,額定電流從8A至34A。

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