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迎戰晶圓均勻度挑戰 電漿蝕刻製程控制技術求新求變

文‧Stephen Hwang/Keren Kanarik 發布日期:2016/10/16

為了達成良率與元件效能需求,控制製程變異性,取得可重複的穩定結果是非常重要的。隨著技術節點的進展,以及設計規則的改變,業界需要更嚴格的製程控制。有許多因素會造成變異性,所有的案例一般可歸納為:在晶粒中、晶圓、晶圓到晶圓、以及腔體到腔體。

達成均勻度有難度 蝕刻腔體設計再進化  

在蝕刻製程中控制均勻度的主要挑戰,在於電漿組成粒子的複雜度。若要達到滿意的蝕刻結果(即對不同選擇比的薄膜材料經過蝕刻後的結構剖面),需要管理不同離子與中子的比例(如Ar+、C4F8、C4F6+、O、O2+)。因為相同的電漿會產生兩種類型粒子,而且離子對中子的相對數量是息息相關的。因此,參數的影響通常會被用來控制電漿,如電漿供應源功率和蝕刻腔體壓力,其也是彼此相關的。  

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