迎戰晶圓均勻度挑戰　電漿蝕刻製程控制技術求新求變

為了達成良率與元件效能需求，控制製程變異性，取得可重複的穩定結果是非常重要的。隨著技術節點的進展，以及設計規則的改變，業界需要更嚴格的製程控制。有許多因素會造成變異性，所有的案例一般可歸納為：在晶粒中、晶圓、晶圓到晶圓、以及腔體到腔體。

達成均勻度有難度　蝕刻腔體設計再進化  

在蝕刻製程中控制均勻度的主要挑戰，在於電漿組成粒子的複雜度。若要達到滿意的蝕刻結果(即對不同選擇比的薄膜材料經過蝕刻後的結構剖面)，需要管理不同離子與中子的比例(如Ar+、C4F8、C4F6+、O、O2+)。因為相同的電漿會產生兩種類型粒子，而且離子對中子的相對數量是息息相關的。因此，參數的影響通常會被用來控制電漿，如電漿供應源功率和蝕刻腔體壓力，其也是彼此相關的。