矽穿孔3DIC技術助力　感測器外型尺寸設計再突破

系統工程師在開發複雜的電子產品，例如感測器和感測器介面應用時，他們所面臨的重大挑戰為更小的外形尺寸、傑出的功能、更佳的效能及更低的物料清單成本(BoM)。設計者可以採用具有較高整合密度的較小製程節點來縮減晶方尺寸，同時也能使用先進的封裝技術來實現系統小型化。

對於更高系統整合度的需求持續增加，這不只促使傳統的組裝服務供應商，也推動半導體公司開發更創新和更先進的封裝技術。最具前景且最具挑戰性的技術之一就是採用矽通孔(TSV)的三維積體(3DIC)。3DIC技術現在已被廣泛用於數位IC(例如，記憶體IC、影像感測器和其他元件的堆疊)中，其設計和製造方法已經在數位世界中獲得成功證明。接下來，設計者要如何將3DIC技術成功導入以類比和混合訊號為主的的感測器IC中？

在今日，走在前面的類比和混合訊號IC開發商已開始意識到採用類比3DIC設計的確能帶來實質好處。智慧感測器和感測器介面產品鎖定工業4.0、智慧城市或物聯網(IoT)中的各種應用。在各種晶片堆疊技術中，TSV和背面重新布局層(BRDL)可用來替代傳統金線接合，此技術的用處極大。