矽穿孔3DIC技術助力 感測器外型尺寸設計再突破 - 技術頻道 - 新電子科技雜誌 Micro-electronics


熱門關鍵字:電源模組 | SiC | 機器視覺 | GaN | 5G

訂閱電子報

立刻輸入Email,獲取最新的資訊:


收藏功能:
分享報新知:
其他功能:

矽穿孔3DIC技術助力 感測器外型尺寸設計再突破

文‧Helmut Hofstaetter/Andreas Wild 發布日期:2017/02/12

系統工程師在開發複雜的電子產品,例如感測器和感測器介面應用時,他們所面臨的重大挑戰為更小的外形尺寸、傑出的功能、更佳的效能及更低的物料清單成本(BoM)。設計者可以採用具有較高整合密度的較小製程節點來縮減晶方尺寸,同時也能使用先進的封裝技術來實現系統小型化。

對於更高系統整合度的需求持續增加,這不只促使傳統的組裝服務供應商,也推動半導體公司開發更創新和更先進的封裝技術。最具前景且最具挑戰性的技術之一就是採用矽通孔(TSV)的三維積體(3DIC)。3DIC技術現在已被廣泛用於數位IC(例如,記憶體IC、影像感測器和其他元件的堆疊)中,其設計和製造方法已經在數位世界中獲得成功證明。接下來,設計者要如何將3DIC技術成功導入以類比和混合訊號為主的的感測器IC中?

在今日,走在前面的類比和混合訊號IC開發商已開始意識到採用類比3DIC設計的確能帶來實質好處。智慧感測器和感測器介面產品鎖定工業4.0、智慧城市或物聯網(IoT)中的各種應用。在各種晶片堆疊技術中,TSV和背面重新布局層(BRDL)可用來替代傳統金線接合,此技術的用處極大。

》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
研討會專區
主題式電子報
熱門文章