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英飛凌針對分離式IGBT推出先進絕緣封裝

發布日期:2017/05/22 關鍵字:FullPAKPFCUPS

英飛凌科技(infineon) 推出最新的 TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術,包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本,擁有極佳的散熱效能以及更簡易的製程。這兩種版本經過效能最佳化,可取代完全絕緣封裝 (FullPAK)以及標準型和高效能型絕緣片,適用於空調、不斷電系統(UPS) 的功率因數校正(PFC),以及馬達驅動的電源轉換器等應用。

此先進絕緣具備與標準型 TO-247 相同的尺寸,且絕緣能力達 100%,且無需使用絕緣片或散熱膏。新封裝提供從 IGBT 晶片到散熱器的有效且可靠的散熱路徑,有助於提升功率密度及可靠度,同時降低系統與製造成本。

由於不需絕緣材料與散熱膏,設計人員可省下多達 35% 的組裝時間。此外,也可免去絕緣片無法對齊的問題,因此可靠度更高。新封裝的熱阻 (Rth) 比 TO-247 FullPak 減少 50%,比使用絕緣片的標準型 TO-247 封裝減少 35%,使新封裝的效能更為優異,舉例來說,其運作溫度較採FullPak 封裝的IGBT 降低了 10°C。相較於使用絕緣箔的標準型 TO-247,採用先進絕緣封裝可提升系統效率達 0.2 %。

新封裝的耦合電容值僅 38 pF, EMI 效能更佳優異,濾波器尺寸也可縮小。更佳的散熱特性讓IGBT 能以更低的溫度運作,進而減少對元件造成的應力,因此可靠度也獲得提升。此外,溫度降低,也有助於縮小散熱器尺寸,有助於節省系統成本。冷卻需求降低後,設計人員便能選擇利用多出的空間來提升功率密度。

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