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專訪慧榮產品企劃部協理黃士德 3D NAND快閃記憶體蓄勢待發

文‧詹益瑋 發布日期:2017/10/21

直至2017年前半,3D NAND快閃記憶體由於產能持續緊縮、發展不如預期,受到越來越多質疑。所幸,隨著美光(Micron)、三星等各大記憶體供應商觸及64層,找到穩定產能的甜蜜點,供給正逐漸回穩,並朝更高層數邁進。儲存容量/效能與日俱增,黃士德指出,追求更強的偵錯機制/傳輸頻寬也無可避免。

礙於物理限制,記憶體晶粒至10多奈米製程以降便難再繼續微縮,NAND快閃記憶體供應商為繼續提升容量/效能,不得不嘗試轉進3D製程;產能轉換影響產出外,Facebook、Google等網路巨頭持續擴建數據中心、儲存需求飛漲,更令NAND晶粒短缺情形惡化,導致發展進度遠不如預期。待2017年下半,Micron、三星等各大陣營的64層技術紛紛成熟、投入市場,3D NAND快閃記憶體供給才趨於穩定。

儘管32層、48層NAND快閃記憶體早已進入量產,黃士德表示,為求結構上的穩定性,現行做法多以20~30奈米NAND晶片由大至小堆疊,一定層數起才開始具成本效益,即現已成熟的64層。相較現行15奈米2D三層單元(TLC) NAND晶片,64層3D TLC NAND晶片每GB成本可降低15%左右;待各家96層技術成熟、於明年進入量產,可望再行下修,甚至讓固態硬碟(SSD)加速取代傳統硬碟。

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