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VEECO/ALLOS攜手開發低成本Micro-LED生產

發布日期:2017/11/07 關鍵字:GaN薄膜磊晶

Veeco近日宣布與ALLOS Semiconductors(ALLOS)完成一項戰略措施,以展示200mm 矽基板用於氮化鎵藍/綠光Micro-LED的生產上。 雙方合作將其專有的磊晶技術轉移到Propel Single-Wafer MOCVD系統上,以便於現有的矽生產線上實現生產Micro-LED。

ALLOS半導體公司執行長Burkhard Slischka表示,使用Propel反應腔,我們就擁有了一項MOCVD技術來實現高產能的GaN磊晶,可滿足在200mm矽生產線上生產Micro-LED元件的所有要求, 不到一個月的時間,就已經在Propel上建立了技術,並且獲得了無裂紋、無回熔(Meltback-Free)的晶圓,其翹曲度低於30 微米,晶體質量高,優異的厚度均勻性與小於1nm的波長均勻性。

Veeco高級副總裁兼MOCVD營運總經理Peo Hansson表示,由於Veeco的TurboDisc technology提供了更廣泛的製程範圍,因此Propel提供了一流的均勻性同時還能獲得優良的薄膜品質。將Veeco的MOCVD專業技術與ALLOS的GaN-on-Silicon的磊晶技術結合在一起,使我們的客戶能夠開發出低成本的Micro-LED,為新的市場中的開拓出新的應用。

Micro-LED顯示技術由<30×30平方微米的紅色,綠色,藍色(RGB)無機LED所組成,再轉化為顯示器背板以形成子像素。與OLED和LCD相比,這些高效率LED直接發射且耗電量更低,卻可以為移動顯示器,電視機和穿戴式裝置提供卓越的亮度和對比度。Micro-LED的製造需要高質量、均勻的磊晶晶片來滿足顯示器的產量和成本控制的目標。

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