基準缺陷降低有訣竅　汽車IC良率/可靠性再提升

半導體IC的良率與可靠性之間的緊密聯繫已經得到充分的研究和記錄。圖1中的資料展示了這種關係。類似的結果在批次、晶圓和晶片級別上都可以看得到。簡而言之，良率高，可靠性隨之也好。這種良率與可靠性的相關性完全在意料之中，因為導致晶片故障的缺陷類型與造成早期可靠性問題的缺陷類型是相同的。影響良率和可靠性的缺陷之間的區別主要在於它們的尺寸和它們在晶片圖案上的位置。

半導體IC的良率與可靠性之間的緊密聯繫已經得到充分的研究和記錄。圖1中的資料展示了這種關係。類似的結果在批次、晶圓和晶片級別上都可以看得到。簡而言之，良率高，可靠性隨之也好。這種良率與可靠性的相關性完全在意料之中，因為導致晶片故障的缺陷類型與造成早期可靠性問題的缺陷類型是相同的。影響良率和可靠性的缺陷之間的區別主要在於它們的尺寸和它們在晶片圖案上的位置。

因此，減少IC生產製程中影響良率的缺陷數量將會提高基準良率，同時可以提高實際使用中的元件可靠性。認識到這一事實，服務於汽車市場的代工廠就面對兩個關鍵的問題。首先是經濟問題：為了提高可靠性，需要投入時間、金錢和資源以提高良率，投入的適當程度為何？第二個問題是技術問題：為了將基準良率提高到必要水平，什麼是減少缺陷的最佳方法？